PVD(Physical Vapor Deposition)，指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以是某些有特殊性能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴涂在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能！　　PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射　　1. PVD簡介　　PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理氣相沉積）的縮寫，是指在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質與氣體都發(fā)生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發(fā)物質及其反應產物沉積在工件上?！　?. PVD技術的發(fā)展　　PVD技術出現于二十世紀七十年代末，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數、很好的耐磨性和化學穩(wěn)定性等優(yōu)點。最初在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界各國制造業(yè)的高度重視，人們在開發(fā)高性能、高可靠性涂層設備的同時，也在硬質合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的涂層應用研究。與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態(tài)為壓應力，更適于對硬質合金精密復雜刀具的涂層；PVD工藝對環(huán)境無不利影響，符合現代綠色制造的發(fā)展方向。目前PVD涂層技術已普遍應用于硬質合金立銑刀、鉆頭、階梯鉆、油孔鉆、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、異形刀具、焊接刀具等的涂層處理?！　VD技術不僅提高了薄膜與刀具基體材料的結合強度，涂層成分也由第一代的TiN發(fā)展為TiC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta－C等多元復合涂層?！　?. 涂層的PVD技術　　增強型磁控陰極?。宏帢O弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異?！　∵^濾陰極?。哼^濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過濾系統，可將離子源產生的等離子體中的宏觀粒子、離子團過濾干凈，經過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過濾掉大顆粒，因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強?！　〈趴貫R射：在真空環(huán)境下，通過電壓和磁場的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射?！　‰x子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過調整加在等離子體上的電壓來控制。碳氫離子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧涂層的離子束源采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術的主要優(yōu)點在于可沉積超薄及多層結構，工藝控制精度可達幾個埃，并可將工藝過程中的顆料污染所帶來的缺陷降至最小?！　?,補充　　物理氣向沉積技術 * PVD 介紹物理氣相沉積具有金屬汽化的特點，　　與不同的氣體發(fā)應形成一種薄膜涂層。今天所使用的大多數 PVD 方法是電弧和濺射沉積涂層。這兩種過程需要在高度真空條件下進行?！　onbond 陰極電弧 PVD 涂層技術在 20 世紀 70 年代后期由前蘇聯發(fā)明，如今，絕大多數的刀模具涂層使用電弧沉積技術?！　」に嚋囟取　〉湫偷?PVD 涂層加工溫度在 250 ℃— 450 ℃之間，但在有些情況下依據應用領域和涂層的質量， PVD 涂層溫度可低于 70 ℃或高于 600 ℃進行涂層?！　⊥繉舆m用的典型零件　　PVD 適合對絕大多數刀具模具和部件進行沉積涂層，應用領域包括刀具和成型模具，耐磨部件，醫(yī)療裝置和裝飾產品?！　〔牧习ㄤ撡|，硬質合金和經電鍍的塑料?！　〉湫屯繉宇愋汀　⊥繉宇愋陀?TiN, ALTIN,TiALN,CrN,CrCN,TiCN 和 ZrN, 復合涂層包括 TiALYN 或 W — C ： H/DLC　　涂層厚度一般 2~5um ，但在有些情況下，涂層薄至 0.5um , 厚至 15um裝載容量?！　⊥繉臃N類和厚度決定工藝時間，一般工藝時間為 3~6 小時。　　加工過程優(yōu)點　　適合多種材質，涂層多樣化　　減少工藝時間，提高生產率　　較低的涂層溫度，零件尺寸變形小對工藝環(huán)境無污染2.CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相淀積)，指把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕?！　VD特點：淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復性好，臺階覆蓋性優(yōu)良。

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